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Model 300四探针方阻测试仪 Four Point Probe APPENDICES

日期:2024-10-31 14:05
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摘要:Model 300四探针方阻测试仪 Four Point Probe 4D 300 是用来自动测量晶片或者导电薄膜的方阻,测试范围从 0.001 到800000 Ohm/sq,并且可以扩展到 8 e8 Ohm/sq 欧姆或者 8e11 Ohm/sq。测试样片包括金属薄膜,侵蚀,扩散,离子注入和多晶硅薄膜等。该设备根据客户的需求有多种测试方法,并且有厚度,温度等修正选项功能,测试数据可以分析作图。
Model 300四探针方阻测试仪 Four Point Probe APPENDICES(附件:技术协议) 
4D 300 是用来自动测量晶片或者导电薄膜的方阻,测试范围从 0.001 到800000 Ohm/sq,并且可以扩展到 8 e8 Ohm/sq 欧姆或者 8e11 Ohm/sq。测试样片包括金属薄膜,侵蚀,扩散,离子注入和多晶硅薄膜等。该设备根据客户的需求有多种测试方法,并且有厚度,温度等修正选项功能,测试数据可以分析作图。

Appendix 1: Configuration(配置) 
- 300 four-point probe system(300 设备) 1 台
- Computer(台式电脑:国内提供) 1 台
- Probe head(探头) 2 个
- NIST traceable wafer(标片) 1 片
Appendix 2: Technical Specification (技术参数)
Four Dimensions Model 300 Four Point Probe 
- Automatic measurement and wafer mapping. 
- 自动测试与硅片多点测试值作图功能
- Sheet resistance and resistivity measurement system for wafers, 
polysilicon, and conductive films such as metal, epi, diffusion, and ion 
implantation. 
- 薄层电阻与电阻率测量适用于单硅片,多晶片,和导电膜如金属,外延,扩散以
及离子注入。
- Measurement range: 1E-3 to 8E5 ohm/sq. 
- 测量范围:1E-3 to 8E5 ohm/sq.
- 测量的**度:<0.1% (标准模阻);
- 测量重复性:<0.2% (标准镀金硅片或 ITO 标准片);
- Square wafers (solar cell) suite for 166mm, 18xmm,210mm, up to 240mm;
- 方片尺寸兼容 166mm,18xmm,210mm,*大到 240mm;
- Computer with Windows OS. 
- Windows 操作系统;
- 300 operation software. 
- 300 操作软件;
- Data analysis and storage. 
- 测试数据分析存储功能;
- Data Transfer to ASCII or Excel;
- 测量数据可导出 ASCII 或者 Excell 格式;
- Color Contour Map, and 3D surfaceMap;
- 测试数据可以采用彩色等高线图或 3D 图显示;
Appendix 3:Facility Requirements (安装条件) 
1. Powell(电源): 100/115/240VAC,Single phase,50/60Hz,200w;UPS(不间断电
源): 500W或以上;电源插头:
2. Tabletop Footprint(操作台面积尺寸):92cm depth X 51cm width X 76cm height
Appendix 4:Services and Training (售后服务) 

粤公网安备 44030402001250号